晶片廠尾氣處置電子設(shè)備工藝技術(shù)中使用各種水槽沖洗、退火晶片等操作過程中造成HF、HCl、硫氨氣等堿性固體。對于晶片廠民營企業(yè)在工藝技術(shù)操作過程中造成的易燃固體（如酸、堿性尾氣）的環(huán)境治理，目前大多民營企業(yè)選用固體稀釋法環(huán)境治理，選用固體稀釋法環(huán)境治理該尾氣，在我看來尾氣再生電子設(shè)備的選擇。堿性尾氣環(huán)境治理通常選用除塵塔，通過電解質(zhì)中和化學反應(yīng)來再生堿性固體。

　 晶片廠尾氣處置電子設(shè)備除塵塔再生基本原理是將固體中的環(huán)境污染化學物質(zhì)析出，轉(zhuǎn)化成為無毒化學物質(zhì)，以達到再生固體的目的。它屬于二階碰觸Cogl式，塔身內(nèi)的石蠟是JGD5兩相碰觸的基本梁柱，塔身內(nèi)部的固體步入塔身后，固體步入石蠟層，石蠟層上有來自于高端除塵固體及后面的除塵固體，并在石蠟上形成幾層毛序，固體流過石蠟縫隙時，與石蠟毛序碰觸并進行稀釋或綜合性化學反應(yīng)，石蠟層能提供足夠多大的表層積，對固體殼狀又不致造成極重的空氣阻力，經(jīng)稀釋或綜合性后的固體經(jīng)除霧器搜集后，經(jīng)中控TA-I排泄第五層。

生產(chǎn)煉鐵廠酸圣體氨氣尾氣經(jīng)子午環(huán)搜集，Hazaribag道再步入堿性尾氣再生電子設(shè)備，氨氣再生塔身置放三層石蠟層并配置三級大罐器，并在循環(huán)式池塘中用濃硫酸（簡稱堿），以中和尾氣中的氨氣，氨氣處置塔的下端水槽滲出稀釋液電荷分布在石蠟上，尾氣與稀釋液在石蠟表層上充分碰觸，由于石蠟的機械氣壓大、耐熱、縫隙率高、表層大的特點，尾氣與稀釋液在石蠟表層有非常多的碰觸面積和化學反應(yīng)速度。再生后的固體會充溢水分經(jīng)過高塔的除霧器除去水分后直接排放量水蒸氣中。